包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：35W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：132W

阈值电压：5V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG100N60E-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：50nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：100mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHK055N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：236W

阈值电压：5V

栅极电荷：54nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：42A

类型：MOSFET

导通电阻：56mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR1N60ATRPBF-BE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：36W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.4A

类型：MOSFET

导通电阻：7Ω

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB068N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC

包装方式：管件

连续漏极电流：41A

类型：MOSFET

导通电阻：68mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG039N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：357W

阈值电压：3V

栅极电荷：84nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：61A

类型：MOSFET

导通电阻：40mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG22N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：96nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：19A

类型：MOSFET

导通电阻：182mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHA125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

连续漏极电流：11A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：179W

阈值电压：5V

栅极电荷：31nC

包装方式：管件

连续漏极电流：25A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHG105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：132W

阈值电压：5V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB186N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：156W

阈值电压：5V

栅极电荷：32nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：8.4A

类型：MOSFET

导通电阻：168mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB068N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：250W

阈值电压：5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC

包装方式：管件

连续漏极电流：41A

类型：MOSFET

导通电阻：68mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHK055N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：236W

阈值电压：5V

栅极电荷：54nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：42A

类型：MOSFET

导通电阻：56mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHK125N60E-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：132W

阈值电压：5V

栅极电荷：29nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：21A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIHB105N60EF-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：5V

栅极电荷：35nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：29A

类型：MOSFET

导通电阻：102mΩ

漏源电压：600V

包装清单：商品主体 * 1