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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7216DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：20.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€2.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：5.2A€6.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40.9mΩ@5.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7220DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4946BEY-T1-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：41mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4900DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9945BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
