品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:25A
输入电容:1100pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
功率:22W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ346DT-T1-GE3
阈值电压:2.2V@250µA€2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:17A€30A
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W€16.7W
类型:2N沟道(双)
输入电容:325pF@15V€650pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZF300DT-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.2V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:23A€75A€34A€141A
类型:2N沟道(双)
功率:3.8W€48W€4.3W€74W
输入电容:1100pF@15V€3150pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1900DL-T1-E3
功率:270mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:590mA
导通电阻:480mΩ@590mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:36pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:220mW
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:610mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3
功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V€1290pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1900DL-T1-GE3
功率:300mW€270mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:630mA€590mA
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:480mΩ@590mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.6V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.9A
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7998DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W€40W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:25A€30A
输入电容:1100pF@15V
导通电阻:9.3mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:36pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
功率:220mW
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:610mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:1000pF@15V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:6A
功率:2.6W€23W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4936CDY-T1-GE3
连续漏极电流:5.8A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ@5A,10V
功率:2.3W
输入电容:325pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
输入电容:865pF@15V
阈值电压:2.4V@250µA
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA918EDJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:900mV@250µA
导通电阻:58mΩ@3A,4.5V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3932DV-T1-GE3
输入电容:235pF@15V
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:58mΩ@3.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.6V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.9A
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:12.1A
ECCN:EAR99
功率:3.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS932EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:1000pF@15V
阈值电压:1.4V@250µA
导通电阻:22mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:6A
功率:2.6W€23W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA928DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:490pF@15V
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@5A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
功率:7.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7212DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.6V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@6.8A,10V
连续漏极电流:4.9A
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4202DY-T1-GE3
连续漏极电流:12.1A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@8A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
功率:3.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340ADT-T1-GE3
功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V€1290pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.7A€33.4A€25.4A€69.7A
阈值电压:2.4V@250µA
类型:2N沟道(双)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ340BDT-T1-GE3
功率:3.7W€16.7W€4.2W€31W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:550pF@15V€1065pF@15V
阈值电压:2.4V@250µA
连续漏极电流:16.9A€36A€25.3A€69.3A
类型:2N沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ346DT-T1-GE3
阈值电压:2.2V@250µA€2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:17A€30A
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W€16.7W
类型:2N沟道(双)
输入电容:325pF@15V€650pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.5A
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:660pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
功率:46W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4932DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@7A,10V
输入电容:1750pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
连续漏极电流:8.5A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:2N沟道(双)
输入电容:660pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存: