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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
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导通电阻：65mΩ@3A，10V
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规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
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功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：46W
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输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
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功率：46W
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ECCN：EAR99
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输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
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功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
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导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：46W
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连续漏极电流：60A
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导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA931DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：445pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
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功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
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功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3993CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：111mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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