销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4877pF@15V

连续漏极电流：75A

类型：P沟道

导通电阻：8.1mΩ@16A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：57nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2030pF@20V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：29mΩ@18A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ456EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：63nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：3342pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：N沟道

导通电阻：26mΩ@9.3A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4355pF@25V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：213mΩ@1A，4V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4877pF@15V

连续漏极电流：75A

类型：P沟道

导通电阻：8.1mΩ@16A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4877pF@15V

连续漏极电流：75A

类型：P沟道

导通电阻：8.1mΩ@16A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ402EP-T1_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：51nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2286pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：N沟道

导通电阻：11mΩ@10.7A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ460AEP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：106nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4795pF@25V

连续漏极电流：32A

类型：N沟道

导通电阻：9.6mΩ@18A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ463EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：150nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5875pF@20V

连续漏极电流：30A

类型：P沟道

导通电阻：10mΩ@18A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF

工作温度：-55℃~150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V@250µA

栅极电荷：17nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：340pF@25V

连续漏极电流：3.3A

类型：N沟道

导通电阻：3Ω@1.5A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：978pF@50V

连续漏极电流：42A

类型：N沟道

导通电阻：21mΩ@7.1A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：57nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：2030pF@20V

连续漏极电流：40A

类型：P沟道

导通电阻：29mΩ@18A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4355pF@25V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：213mΩ@1A，4V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFR420APBF

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：17nC@10V

包装方式：管件

输入电容：340pF@25V

连续漏极电流：3.3A

类型：1个N沟道

导通电阻：3Ω@1.5A，10V

漏源电压：500V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4355pF@25V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：213mΩ@1A，4V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIR826BDP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：83W

阈值电压：2V

栅极电荷：69nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80.8A

类型：MOSFET

导通电阻：5.1mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：978pF@50V

连续漏极电流：42A

类型：N沟道

导通电阻：21mΩ@7.1A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：3.5V@250µA

栅极电荷：160nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4355pF@25V

连续漏极电流：12A

类型：P沟道

导通电阻：213mΩ@1A，4V

漏源电压：200V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：979pF@25V

连续漏极电流：42A

类型：N沟道

导通电阻：21mΩ@7.4A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ459EP-T2_BE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4586pF@30V

连续漏极电流：52A

类型：P沟道

导通电阻：18mΩ@3.5A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ488EP-T2_GE3

工作温度：-55℃~175℃

功率：83W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：27nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：978pF@50V

连续漏极电流：42A

类型：N沟道

导通电阻：21mΩ@7.1A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1