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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
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包装规格(MPQ)：1psc
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规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
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规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
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功率：179W
阈值电压：4V@250μA
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包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
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规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP17N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@100V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：305mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB125N60EF-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：179W
阈值电压：5V
栅极电荷：31nC
包装方式：管件
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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