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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
漏源电压：30V
包装方式：Reel
阈值电压：1.1V
导通电阻：4.3mΩ
功率：28W
连续漏极电流：25A
工作温度：-55℃~+150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
类型：MOSFET
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栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
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包装规格(MPQ)：3000psc
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISHA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1.1V
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.5nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：4.3mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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