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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.5W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：20 nC @ 5 V
连续漏极电流：5.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
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功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：800mV @ 850µA
栅极电荷：125 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：8.75 毫欧 @ 14A，4.5V
漏源电压：20V
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栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
连续漏极电流：8.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 11.4A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
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阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
连续漏极电流：8.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 11.4A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
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栅极电荷：100 nC @ 10 V
连续漏极电流：8.8A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 11.4A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
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导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
连续漏极电流：2.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：135 毫欧 @ 3.4A，10V
漏源电压：150V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：800mV @ 850µA
栅极电荷：125 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：8.75 毫欧 @ 14A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：800mV @ 850µA
栅极电荷：125 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：8.75 毫欧 @ 14A，4.5V
漏源电压：20V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
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栅极电荷：125 nC @ 4.5 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：8.75 毫欧 @ 14A，4.5V
漏源电压：20V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
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销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：17 nC @ 10 V
连续漏极电流：3.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：62 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7820DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.5W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：240 毫欧 @ 2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
