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    品牌: VISHAY
    功率: 107W
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40N10-30_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40N10-30_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40N10-30_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3345pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40081EL_GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40081EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL-T4_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL-T4_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL-T4_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL-T4_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD25N15-52_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD25N15-52_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@15A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL-T4_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL-T4_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL-T4_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034EL_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034E_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50034E_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50034E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40061EL_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40061EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:280nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14500pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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