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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：3.3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：80mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
