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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：382mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1257pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：363mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1257pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：363mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1257pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：363mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1257pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：363mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：382mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1257pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：363mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：382mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1243pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：382mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF640S-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
连续漏极电流：18A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF640S-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC
连续漏极电流：18A
类型：MOSFET
导通电阻：180mΩ
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：1000psc
规格型号(MPN)：SIHF640S-GE3
连续漏极电流：18A
功率：130W
阈值电压：2V
导通电阻：180mΩ
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：70nC
ECCN：EAR99
类型：MOSFET
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH11N65E-T1-GE3
导通电阻：363mΩ@6A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
栅极电荷：68nC@10V
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1257pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
