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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
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输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
输入电容：10500pF@20V
功率：125W
栅极电荷：204nC@10V
连续漏极电流：100A
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
输入电容：10500pF@20V
功率：125W
栅极电荷：204nC@10V
连续漏极电流：100A
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR608EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：2.3V
栅极电荷：167nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：228A
类型：MOSFET
导通电阻：1.36mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR638DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：204nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR608EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：125W
阈值电压：2.3V
栅极电荷：167nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：228A
类型：MOSFET
导通电阻：1.36mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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