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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
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漏源电压：30V
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类型：P沟道
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功率：3.1W€31W
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
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功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
功率：3.1W€31W
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5419DU-T1-GE3
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漏源电压：30V
输入电容：1400pF@15V
栅极电荷：45nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
功率：3.1W€31W
导通电阻：20mΩ@6.6A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1350pF@15V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
功率：3.1W€31W
栅极电荷：30nC@10V
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