品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
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漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
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功率:19.2W
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
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功率:19.2W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
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功率:19.2W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
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功率:19.2W
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
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阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
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类型:N沟道
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阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
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功率:19.2W
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栅极电荷:36nC@10V
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导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
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功率:19.2W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:19.2W
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:1265pF@15V
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
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连续漏极电流:12A
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:12A
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导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
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功率:19.2W
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类型:N沟道
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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规格型号(MPN):SIA430DJT-T1-GE3
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功率:19.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
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连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@7A,10V
漏源电压:20V
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
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功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
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栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
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