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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:39W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2247 pF @ 10 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.65 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1185pF@30V

    连续漏极电流:15.2A€52.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4151DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.1W(Ta),5.6W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:87 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250 pF @ 15 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),20.5A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:7.5 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.4nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF @ 30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD09P10-195-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:34.8 nC @ 10 V

    输入电容:1055 pF @ 50 V

    连续漏极电流:8.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:20W,30W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:12nC @ 10V

    输入电容:435pF @ 15V

    连续漏极电流:12A,16A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:20W,30W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:12nC @ 10V

    输入电容:435pF @ 15V

    连续漏极电流:12A,16A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.8W(Ta),57W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:48 nC @ 10 V

    输入电容:2058 pF @ 50 V

    连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ704DT-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:20W,30W

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:12nC @ 10V

    输入电容:435pF @ 15V

    连续漏极电流:12A,16A

    类型:2 个 N 通道(半桥)

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:510mW

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:1.4nC @ 10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18.5pF @ 30V

    连续漏极电流:370mA

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:50 pF @ 25 V

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    功率:200mW(Ta)

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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