品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:39W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:44 nC @ 10 V
输入电容:2247 pF @ 10 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.65 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR4602LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:15.2A€52.1A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.8W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:48 nC @ 10 V
输入电容:2058 pF @ 50 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.8W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:48 nC @ 10 V
输入电容:2058 pF @ 50 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.8W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:48 nC @ 10 V
输入电容:2058 pF @ 50 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.8W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:48 nC @ 10 V
输入电容:2058 pF @ 50 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),43W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
输入电容:1185 pF @ 30 V
连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.2W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:38 nC @ 10 V
输入电容:970 pF @ 20 V
连续漏极电流:7.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),43W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
输入电容:1185 pF @ 30 V
连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),43W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
输入电容:1185 pF @ 30 V
连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:115mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:34.8 nC @ 10 V
输入电容:1055 pF @ 50 V
连续漏极电流:8.8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4151DY-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.1W(Ta),5.6W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:87 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250 pF @ 15 V
连续漏极电流:15.2A(Ta),20.5A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:7.5 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:34.8 nC @ 10 V
输入电容:1055 pF @ 50 V
连续漏极电流:8.8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:34.8 nC @ 10 V
输入电容:1055 pF @ 50 V
连续漏极电流:8.8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),32.1W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:34.8 nC @ 10 V
输入电容:1055 pF @ 50 V
连续漏极电流:8.8A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:195 毫欧 @ 3.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:20W,30W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:12nC @ 10V
输入电容:435pF @ 15V
连续漏极电流:12A,16A
类型:2 个 N 通道(半桥)
导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:115mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:20W,30W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:12nC @ 10V
输入电容:435pF @ 15V
连续漏极电流:12A,16A
类型:2 个 N 通道(半桥)
导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:115mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:200mW(Ta)
阈值电压:2.5V @ 250µA
输入电容:50 pF @ 25 V
连续漏极电流:115mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:4.8W(Ta),57W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:48 nC @ 10 V
输入电容:2058 pF @ 50 V
连续漏极电流:11.3A(Ta),39A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:14.9 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:20W,30W
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:12nC @ 10V
输入电容:435pF @ 15V
连续漏极电流:12A,16A
类型:2 个 N 通道(半桥)
导通电阻:24 毫欧 @ 7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:50 pF @ 25 V
阈值电压:2.5V @ 250µA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA(Ta)
类型:N 通道
功率:200mW(Ta)
导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: