首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌: VISHAY
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:8
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4447ADY-T1-GE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:4.2W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:38 nC @ 10 V

    输入电容:970 pF @ 20 V

    连续漏极电流:7.2A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:45 毫欧 @ 5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:6.25W(Ta),104W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:6.25W(Ta),104W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900 pF @ 20 V

    连续漏极电流:31A(Ta),100A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:3.6 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:125W(Tc)

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    栅极电荷:204 nC @ 10 V

    输入电容:10500 pF @ 20 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:0.88 毫欧 @ 20A,10V

    输入电容:10500 pF @ 20 V

    功率:104W(Tc)

    连续漏极电流:100A(Tc)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.3V @ 250µA

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    栅极电荷:204 nC @ 10 V

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧