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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
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栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
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输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：81nC@10V
漏源电压：40V
输入电容：4715pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：330A
功率：312W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
栅极电荷：81nC@10V
输入电容：3330pF@50V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：131A
包装方式：散装
漏源电压：100V
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：81nC@10V
漏源电压：40V
输入电容：4715pF@25V
类型：N沟道
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：330A
功率：312W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：散装
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ138EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：312W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4715pF@25V
连续漏极电流：330A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
