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    VISHAY Mosfet场效应管 SUP10250E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP10250E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP10250E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40014EM_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40014EM_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15525pF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP50020EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:11113pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N06-3M5L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N06-3M5L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14700pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP50020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM60N20-35_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5850pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70040E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90140E-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90140E-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90140E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4132pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70101EL-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70101EL-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P04-04L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P04-04L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13980pF@20V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40010EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40010EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM50020EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM50020EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM50020EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11113pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90142E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90142E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:87nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:31200pF@100V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM60061EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM60061EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:218nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@40V

    连续漏极电流:150A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90100E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3930pF@100V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP40010EL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP40010EL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP40010EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N06-3M5L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120N06-3M5L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14700pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70040E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70040E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70030E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70030E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70030E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:214nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10870pF@50V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.18mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14280pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:800nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70040E-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70040E-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70040E-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70040E-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70040E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40010EL_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40010EL_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40010EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17100pF@20V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40031EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40031EL_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:800nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P06-07L_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:270nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14280pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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