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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~175℃
    类型: P沟道
    当前匹配商品:3400+
    商品信息
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    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ457EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2337ES-T1_BE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2337ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:620pF@40V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ459EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4586pF@30V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:109nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z24GPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9Z24GPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9Z24GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ433EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ433EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4877pF@15V

    连续漏极电流:75A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.1mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ423EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9530GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9530GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9530GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:860pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1421EDH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:355pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:290mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90P10-19L-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:13.6W€375W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:326nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11100pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9510STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40P10-40L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40P10-40L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5540pF@15V

    连续漏极电流:38A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P06-15L-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P06-15L-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ141EL-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:731nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62190pF@25V

    连续漏极电流:390A

    类型:P沟道

    导通电阻:2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70101EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3481EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3481EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3481EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQM110P06-8M9L_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM110P06-8M9L_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7450pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ431EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:213mΩ@1A,4V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7415AENW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1385pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF9Z24STRR-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF9Z24STRR-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF9Z24STRR-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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