品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2314EDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:950mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.77A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9433BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: