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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
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栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：散装
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：SIHP12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
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连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG14N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1144pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@7A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
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栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：散装
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：散装
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA12N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N60E-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：937pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR882DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
