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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR106DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€83.3W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@50V
连续漏极电流：16.1A€65.8A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2130pF@75V
连续漏极电流：53.7A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450APBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2038pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD14N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：147W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1205pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：309mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
