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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    阈值电压: 5V@250µA
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:524W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:228nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7612pF@100V

    连续漏极电流:99A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2954pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1533pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1851pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH070N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH070N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:202W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2647pF@100V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP054N65E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP054N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3769pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@20A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP080N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP080N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP080N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP080N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP27N60KPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP27N60KPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4660pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4013pF@100V

    连续漏极电流:48A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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