品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP100N60E-GE3
导通电阻:100mΩ@13A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:208W
包装方式:管件
漏源电压:600V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
输入电容:1851pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
连续漏极电流:12A
功率:208W
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
栅极电荷:48nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB100N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1851pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP12N50C-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1375pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:555mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1804pF@100V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG14N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1144pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: