品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD402ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:1.2nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:730mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€39W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@10V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8472DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:780mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1012R-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.75nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:900mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1024X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.08W€2.97W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS61DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.8W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8740pF@10V
连续漏极电流:30.9A€111.9A
类型:P沟道
导通电阻:3.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7900AEDN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:26mΩ@8.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@10V
连续漏极电流:5.9A
类型:P沟道
导通电阻:23mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: