品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€73.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@40V
连续漏极电流:7.4A€46A
类型:P沟道
导通电阻:19.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR871DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3395pF@50V
连续漏极电流:48A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€73.5W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@40V
连续漏极电流:7.4A€46A
类型:P沟道
导通电阻:19.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4483ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€5.9W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:19.2A
类型:P沟道
导通电阻:8.8mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: