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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR402DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:165nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9100pF@20V

    连续漏极电流:64.6A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR638DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472ADP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€14.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS50DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:29.7A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.83mΩ@15A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:400nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14300pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:9.9A€14A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:28A€101A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:4.5Ω@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA54DP-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA54DP-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA54DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:48nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR638DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:204nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.88mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR450DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR450DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€48W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5920pF@20V

    连续漏极电流:36A€113A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:28A€101A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:4.5Ω@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISF06DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2050pF@15V

    连续漏极电流:28A€101A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:4.5Ω@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS438DN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS438DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.7W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@10V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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