品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14300pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€39W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:144nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4150pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:9.9A€14A
类型:P沟道
导通电阻:14.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12900pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:P沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: