品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS888DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@75V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS888DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@75V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS888DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@75V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS888DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@75V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@100V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:580pF@15V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: