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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG24N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1889pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@10A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR826DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@40V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR416DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4186DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3630pF@10V
连续漏极电流：35.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
