品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:833pF@20V
连续漏极电流:3.5A€13A
类型:P沟道
导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: