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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS606BDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：9.4A€35.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS606BDN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：9.4A€35.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
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功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
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功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS606BDN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：9.4A€35.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：5A
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导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
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功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：9.4A€35.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS606BDN-T1-GE3
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输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：9.4A€35.3A
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导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
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连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
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栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：2.2A
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导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
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栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
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功率：1.5W
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栅极电荷：30nC@10V
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连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
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功率：5W€62.5W
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栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
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导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
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功率：5W€62.5W
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包装方式：卷带（TR）
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导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SIS606BDN-T1-GE3
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功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：9.4A€35.3A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7818DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：135mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR606BDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1470pF@50V
连续漏极电流：10.9A€38.7A
类型：N沟道
导通电阻：17.4mΩ@10A，10V
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