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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS472DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
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连续漏极电流：20A
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导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：15.8A€52A
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输入电容：997pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
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功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：15.8A€52A
类型：N沟道
漏源电压：60V
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