品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
功率:2.1W€41.7W
输入电容:860pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:16.9A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
功率:2.1W€41.7W
输入电容:860pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:16.9A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
功率:2.1W€41.7W
输入电容:860pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:16.9A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD20N10-66L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€41.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@50V
连续漏极电流:16.9A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@6.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: