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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
