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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8409DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.47W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：46mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA24DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA24DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：62.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
