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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 48nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2058pF@50V

    连续漏极电流:11.3A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2058pF@50V

    连续漏极电流:11.3A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2058pF@50V

    连续漏极电流:11.3A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186LDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR186LDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.8A€80.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR690DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR690DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR690DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1935pF@100V

    连续漏极电流:34.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR574DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR574DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR574DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@75V

    连续漏极电流:12.1A€48.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR422DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€34.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26LDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@30V

    连续漏极电流:23.7A€81.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS42LDN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2058pF@50V

    连续漏极电流:11.3A€39A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7116BDN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1915pF@20V

    连续漏极电流:18.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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