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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 110nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4136DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4136DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@15A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7658ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7658ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7658ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4590pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8425DB-T1-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8425DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@10V

    连续漏极电流:5.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP360LCPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP360LCPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP360LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@14A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP360LCPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP360LCPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP360LCPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3400pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@14A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB20N50KPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFB20N50KPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB20N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR104LDP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR104LDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7658ADP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7658ADP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7658ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4590pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870BDP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@50V

    连续漏极电流:18.8A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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