品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB35N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:132nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2760pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: