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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 167nC@10V
    当前匹配商品:9
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订17500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订17500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4143DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6630pF@15V

    连续漏极电流:25.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR608DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR608DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR608DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:167nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@20V

    连续漏极电流:51A€208A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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