品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4143DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6630pF@15V
连续漏极电流:25.3A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR608DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:167nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8900pF@20V
连续漏极电流:51A€208A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: