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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA436DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1508pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@15.7A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4488DY-T1-GE3
阈值电压：2V@250µA
功率：1.56W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：50mΩ@5A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：3.5A
漏源电压：150V
栅极电荷：36nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-E3
输入电容：750pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
功率：3.8W€52W
类型：N沟道
漏源电压：100V
阈值电压：4.4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA10DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：2425pF@15V
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
连续漏极电流：60A
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
功率：5W€40W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2328DS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：1.15A
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：730mW
栅极电荷：5nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR872DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：64nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：150V
阈值电压：3.5V@250µA
功率：6.25W€104W
ECCN：EAR99
连续漏极电流：53.7A
导通电阻：18mΩ@20A，10V
输入电容：2130pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8824EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：75mΩ@1A，4.5V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.1A
功率：500mW
阈值电压：800mV@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA26DP-T1-RE3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：43.1W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2247pF@10V
漏源电压：25V
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
连续漏极电流：60A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR180DP-T1-RE3
输入电容：4030pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：2.05mΩ@10A，10V
连续漏极电流：32.4A€60A
类型：N沟道
栅极电荷：87nC@10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.6V@250µA
功率：5.4W€83.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4134DY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：14mΩ@10A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：846pF@15V
功率：2.5W€5W
连续漏极电流：14A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：27A€60A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
功率：5W€38W
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
输入电容：1470pF@15V
栅极电荷：32nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2374DS-T1-GE3
连续漏极电流：4.5A€5.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：735pF@10V
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：20V
功率：960mW€1.7W
导通电阻：30mΩ@4A，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DDP-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
输入电容：900pF@50V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：23mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：27.8A
类型：N沟道
栅极电荷：29.5nC@10V
功率：5W€35.7W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR122DP-T1-RE3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：16.7A€59.6A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
功率：5.2W€65.7W
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：3.8V@250µA
输入电容：1950pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1308EDL-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.1nC@10V
类型：N沟道
功率：400mW€500mW
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：105pF@15V
导通电阻：132mΩ@1.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：1.5A€1.4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFRC20TRPBF
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
功率：2.5W€42W
导通电阻：4.4Ω@1.2A，10V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
输入电容：350pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50DP-T1-RE3
功率：6.25W€100W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：62.5A€100A
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：8445pF@20V
栅极电荷：194nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：1mΩ@20A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302DDS-T1-GE3
栅极电荷：5.5nC@4.5V
导通电阻：57mΩ@3.6A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：850mV@250µA
漏源电压：20V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.9A
功率：710mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA72DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：30nC@4.5V
连续漏极电流：60A
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
输入电容：3240pF@20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR880ADP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：6.3mΩ@20A，10V
输入电容：2289pF@40V
栅极电荷：72nC@10V
连续漏极电流：60A
阈值电压：3V@250µA
功率：5.4W€83W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR696DP-T1-GE3
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
栅极电荷：38nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：125V
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
输入电容：1410pF@75V
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1062X-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：2.7nC@8V
功率：220mW
连续漏极电流：530mA
类型：N沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
导通电阻：420mΩ@500mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
功率：3W€6W
栅极电荷：67nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304DDS-T1-BE3
输入电容：235pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：3.3A€3.6A
功率：1.1W€1.7W
栅极电荷：6.7nC@10V
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHFL110TR-BE3
输入电容：180pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：8.3nC@10V
导通电阻：540mΩ@900mA，10V
连续漏极电流：1.5A
阈值电压：4V@250µA
功率：2W€3.1W
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS402DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6mΩ@19A，10V
功率：3.8W€52W
类型：N沟道
栅极电荷：42nC@10V
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：35A
输入电容：1700pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
漏源电压：250V
输入电容：350pF@125V
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
栅极电荷：16nC@10V
阈值电压：4V@250µA
功率：5.1W€65.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR578DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：17.2A€70.2A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
输入电容：2540pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
