品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
输入电容:3415pF@10V
连续漏极电流:43.7A€162A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:1.1mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
输入电容:802pF@50V
导通电阻:23.5mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
连续漏极电流:30A
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
连续漏极电流:30.9A€40A
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
输入电容:1930pF@15V
功率:3.7W€52W
导通电阻:10.6mΩ@11A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.6mΩ@20A,10V
栅极电荷:177nC@10V
输入电容:5790pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1320pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.6V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.15mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA72ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2530pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
阈值电压:2.4V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:3.25mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:611pF@50V
导通电阻:29mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
栅极电荷:21.5nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
功率:3.7W€52W
输入电容:3595pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:40A
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
输入电容:550pF@50V
栅极电荷:19.5nC@10V
导通电阻:33mΩ@10A,10V
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3
输入电容:5590pF@10V
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:9.4mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
ECCN:EAR99
输入电容:4280pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
类型:P沟道
功率:3.7W€52W
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:16.9A€35A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3
栅极电荷:183nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:6000pF@10V
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
输入电容:1800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
导通电阻:7mΩ@15A,10V
输入电容:4427pF@15V
类型:P沟道
连续漏极电流:35A
功率:3.7W€52W
包装清单:商品主体 * 1
库存: