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    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA40DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA40DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:3415pF@10V

    连续漏极电流:43.7A€162A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:1.1mΩ@10A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7101DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7101DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:59nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    输入电容:1800pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615ADN-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:802pF@50V

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    连续漏极电流:30A

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISHA04DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISHA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    连续漏极电流:30.9A€40A

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS427EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS427EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS427EDN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:66nC@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:1930pF@15V

    功率:3.7W€52W

    导通电阻:10.6mΩ@11A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:59nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    输入电容:1800pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7629DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7629DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    栅极电荷:177nC@10V

    输入电容:5790pF@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1320pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:40A

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA04DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA04DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.2V@250µA

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA72ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA72ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA72ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2530pF@20V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    栅极电荷:50nC@10V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:611pF@50V

    导通电阻:29mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    栅极电荷:21.5nC@10V

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    类型:P沟道

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS476DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:77nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,10V

    功率:3.7W€52W

    输入电容:3595pF@15V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:40A

    阈值电压:2.3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:6000pF@10V

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS892ADN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS892ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    输入电容:550pF@50V

    栅极电荷:19.5nC@10V

    导通电阻:33mΩ@10A,10V

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH615ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH615ADN-T1-GE3

    输入电容:5590pF@10V

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4280pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH101DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH101DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH101DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    导通电阻:7.2mΩ@15A,10V

    输入电容:3595pF@15V

    连续漏极电流:16.9A€35A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7615DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7615DN-T1-GE3

    栅极电荷:183nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    输入电容:6000pF@10V

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7617DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:59nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    输入电容:1800pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7625DN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7625DN-T1-GE3

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    输入电容:4427pF@15V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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