品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:595pF@20V
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:595pF@20V
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2399DS-T1-BE3
导通电阻:34mΩ@5.1A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:20nC@4.5V
输入电容:835pF@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:5.1A€6A
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1295pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
连续漏极电流:5.4A€7.6A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-BE3
连续漏极电流:1.6A€2.3A
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
输入电容:190pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-GE3
输入电容:196pF@50V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:126mΩ@2A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-GE3
输入电容:196pF@50V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:3.1A
导通电阻:126mΩ@2A,10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:5.9A
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
输入电容:590pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:5.9A
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
输入电容:590pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
导通电阻:77mΩ@3.1A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:595pF@20V
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
连续漏极电流:4.4A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
导通电阻:29mΩ@5.4A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1295pF@15V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
连续漏极电流:5.4A€7.6A
类型:P沟道
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3
导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1090pF@10V
类型:P沟道
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:5.9A
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
输入电容:590pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:5.9A
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,10V
输入电容:590pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2324DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.25W€2.5W
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:10.4nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:234mΩ@1.5A,10V
连续漏极电流:2.3A
输入电容:190pF@50V
阈值电压:2.9V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: