品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@15V
连续漏极电流:610mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@15V
连续漏极电流:610mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2336DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.8W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3.8A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@15V
连续漏极电流:610mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3552DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.15W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:105mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: