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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI7111EDN-T1-GE3
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功率：52W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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功率：52W
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栅极电荷：46nC@2.5V
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输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：8.55mΩ@15A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7212DN-T1-GE3
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功率：1.3W
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.3W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.9A
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输入电容：5860pF@15V
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类型：P沟道
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导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@6.8A，10V
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