品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€14.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:28A€101A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:4.5Ω@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€14.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.1W€65.8W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:25.9A€94A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:413nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15660pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS476DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3595pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: