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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI1070X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
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阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
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连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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功率：236mW
阈值电压：1.55V@250µA
栅极电荷：8.3nC@5V
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输入电容：385pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：30V
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