销售单位：个

规格型号(MPN)：SISH114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：18A€35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：24mΩ@4.8A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：24mΩ@4.8A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

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连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

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导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

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功率：5W€38W

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栅极电荷：32nC@10V

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漏源电压：30V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

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功率：5W€38W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

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连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：24mΩ@4.8A，10V

漏源电压：30V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€36W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1050pF@15V

连续漏极电流：22A€70A

类型：N沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA84BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€36W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1050pF@15V

连续漏极电流：22A€70A

类型：N沟道

导通电阻：4.6mΩ@15A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

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输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

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输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

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连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：24mΩ@4.8A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

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导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI5424DC-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：2.5W€6.25W

阈值电压：2.3V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：950pF@15V

连续漏极电流：6A

类型：N沟道

导通电阻：24mΩ@4.8A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIRA12BDP-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：5W€38W

阈值电压：2.4V@250µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1470pF@15V

连续漏极电流：27A€60A

类型：N沟道

导通电阻：4.3mΩ@10A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SI7114ADN-T1-GE3

工作温度：-55℃~150℃

功率：3.7W€39W

阈值电压：2.5V@250µA

栅极电荷：32nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1230pF@15V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：7.5mΩ@18A，10V

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1