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    品牌: VISHAY
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

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    栅极电荷:17nC@8V

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    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

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    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

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    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

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    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2315BDS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8819EDB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@6V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB441EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€13W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@6V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIUD412ED-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.71nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@6V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8457DB-T1-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W€2.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:93nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@6V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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