品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2315BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.85A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB441EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€13W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@6V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:25.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD412ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.71nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@6V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8457DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:93nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@6V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: