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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7234DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@6V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：2N沟道（双）
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功率：46W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
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功率：1.9W
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栅极电荷：80nC@4.5V
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连续漏极电流：20A
类型：N沟道
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功率：46W
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连续漏极电流：60A
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导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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连续漏极电流：60A
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连续漏极电流：60A
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导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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连续漏极电流：60A
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连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@6V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
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阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：46W
输入电容：5000pF@6V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7234DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@6V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.4mΩ@20A，4.5V
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7858ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：80nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@6V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@29A，4.5V
漏源电压：12V
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